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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
総合得点
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
総合得点
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
31
41
周辺 -32% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.6
11.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
7.2
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
31
読み出し速度、GB/s
11.8
14.6
書き込み速度、GB/秒
7.2
9.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
2320
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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