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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
総合得点
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
40
41
周辺 2% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.6
8.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
バグを報告する
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
41
読み出し速度、GB/s
13.6
8.9
書き込み速度、GB/秒
8.3
7.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2035
2126
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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