RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 30
    周辺 7% 低遅延
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.5 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 16.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 12.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 3047

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
メモリRAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
メモリRAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
メモリRAM
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
メモリRAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
メモリRAM
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
メモリRAM