RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 36
    周辺 22% 低遅延
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.4 left arrow 12.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 9.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    12.9 left arrow 14.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 10.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2112 left arrow 2490

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAMの比較

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB

Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
メモリRAM
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
メモリRAM
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
メモリRAM