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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
総合得点
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
28
周辺 -22% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
11.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.5
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
23
読み出し速度、GB/s
11.7
17.0
書き込み速度、GB/秒
8.4
12.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
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