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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
72
周辺 -89% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
38
読み出し速度、GB/s
4,241.0
14.3
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
10.9
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2638
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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