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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
64
86
周辺 26% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
12.1
テスト平均値
考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
5.7
2,256.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
86
読み出し速度、GB/s
4,651.3
12.1
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
5.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
1220
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
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Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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