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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
64
周辺 -88% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.5
2,256.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
34
読み出し速度、GB/s
4,651.3
10.4
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
7.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
2297
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
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