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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
25
周辺 -14% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
17.2
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
22
読み出し速度、GB/s
16.1
15.7
書き込み速度、GB/秒
10.1
17.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3671
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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