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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
32
周辺 22% 低遅延
考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
32
読み出し速度、GB/s
16.1
16.6
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
3405
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
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