RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 26
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.1 left arrow 14.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 9.8
    テスト平均値
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 14.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 9.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 2890

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
メモリRAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
メモリRAM