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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
29
周辺 14% 低遅延
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.3
16.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
29
読み出し速度、GB/s
16.1
17.3
書き込み速度、GB/秒
10.1
13.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2832
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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