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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
比較する
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
総合得点
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
総合得点
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
35
周辺 29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.1
16
テスト平均値
考慮すべき理由
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
11.8
10.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
25
35
読み出し速度、GB/s
16.1
16.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
11.8
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2764
2824
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較
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Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB RAMの比較
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
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