RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

総合得点
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 考慮すべき理由
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,123.3 left arrow 10.9
    テスト平均値
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 59
    周辺 -119% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 6400
    周辺 3 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    59 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    4,833.8 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,123.3 left arrow 10.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    731 left arrow 2288

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAMの比較

Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
メモリRAM
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
メモリRAM