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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
総合得点
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
総合得点
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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考慮すべき理由
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
36
周辺 -29% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.9
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.9
10.3
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
28
読み出し速度、GB/s
15.0
19.9
書き込み速度、GB/秒
10.3
14.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
17000
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2569
3732
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
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