RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB

総合得点
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
star star star star star
Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 34
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 17.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 11.7
    テスト平均値
Kingston KDK8NX-MIE 16GB 考慮すべき理由
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    33 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    17.6 left arrow 17.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.0 left arrow 11.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2910 left arrow 3142

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
メモリRAM