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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
総合得点
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
総合得点
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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考慮すべき理由
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
41
周辺 -14% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
13.8
13.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.2
8.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
36
読み出し速度、GB/s
13.3
13.8
書き込み速度、GB/秒
8.5
11.2
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2322
2550
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
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