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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

総合得点
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    23 left arrow 34
    周辺 32% 低遅延
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 13.4
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.5 left arrow 8.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    23 left arrow 34
  • 読み出し速度、GB/s
    13.4 left arrow 17.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.0 left arrow 14.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2269 left arrow 3606

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