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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

総合得点
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

総合得点
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB 考慮すべき理由
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 37
    周辺 -37% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 13.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.1 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    37 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.2 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 15.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2143 left arrow 3711

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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メモリRAM
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
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メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
メモリRAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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