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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
比較する
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
総合得点
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
総合得点
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
71
周辺 61% 低遅延
考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8500
周辺 2.26 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
28
71
読み出し速度、GB/s
12.7
15.5
書き込み速度、GB/秒
7.5
8.3
メモリ帯域幅、mbps
8500
19200
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1988
1902
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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