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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
総合得点
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
総合得点
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
10.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
52
56
周辺 -8% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
1,813.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17500
6400
周辺 2.73 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
52
読み出し速度、GB/s
4,387.7
10.2
書き込み速度、GB/秒
1,813.5
8.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
17500
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
no data
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2319
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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