Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

総合得点

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

総合得点

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

考慮すべき理由
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

30 33

周辺 9% 低遅延

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

考慮すべき理由
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.2 10.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 9.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 14200

周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

30 33
読み出し速度、GB/s

10.9 16.2
書き込み速度、GB/秒

9.1 12.5
メモリ帯域幅、mbps

14200 21300

Other

商品説明

PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2272 2973

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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