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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
比較する
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
総合得点
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
38
周辺 29% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
14.2
13.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.5
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
38
読み出し速度、GB/s
13.4
14.2
書き込み速度、GB/秒
8.4
9.5
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2275
2470
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
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