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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB

総合得点
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

総合得点
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Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB

Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.6 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.4
    テスト平均値
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 42
    周辺 -8% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18KSF51272PZ-1G4K1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 7.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.0 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2423 left arrow 1683

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