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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

総合得点
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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB

総合得点
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    38 left arrow 43
    周辺 -13% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 12.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    10.1 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    43 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    12.1 left arrow 13.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.6 left arrow 10.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2034 left arrow 2363

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Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
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Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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