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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
45
周辺 -105% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.6
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
12800
周辺 1.5 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
22
読み出し速度、GB/s
12.3
17.6
書き込み速度、GB/秒
8.0
13.7
メモリ帯域幅、mbps
12800
19200
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
3169
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAMの比較
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
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