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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
総合得点
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
総合得点
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
45
周辺 -96% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.4
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
17.4
8.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
12800
周辺 1.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
45
23
読み出し速度、GB/s
12.3
20.4
書き込み速度、GB/秒
8.0
17.4
メモリ帯域幅、mbps
12800
17000
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1992
4214
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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