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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
総合得点
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
40
周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.5
12.3
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
8.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
12800
周辺 2 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
40
36
読み出し速度、GB/s
12.3
15.5
書き込み速度、GB/秒
8.9
11.9
メモリ帯域幅、mbps
12800
25600
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1789
2734
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
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