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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
比較する
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB vs Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
総合得点
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
総合得点
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
45
周辺 9% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.2
7.8
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12
11.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
10600
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
41
45
読み出し速度、GB/s
11.1
12.0
書き込み速度、GB/秒
8.2
7.8
メモリ帯域幅、mbps
10600
12800
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1348
1939
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
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