SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

総合得点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

総合得点

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

相違点仕様コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

46 62

周辺 26% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

13.6 7.0

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

21300 19200

周辺 1.11% 高帯域

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

考慮すべき理由
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

16.7 14.2

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

46 62
読み出し速度、GB/s

14.2 16.7
書き込み速度、GB/秒

13.6 7.0
メモリ帯域幅、mbps

21300 19200

Other

商品説明

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2717 1808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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