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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

総合得点
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

総合得点
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB 考慮すべき理由
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 77
    周辺 -141% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    9.8 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.6 left arrow 1,884.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    77 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    2,936.9 left arrow 9.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,884.0 left arrow 8.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    564 left arrow 2271

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