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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
総合得点
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
38
73
周辺 48% 低遅延
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.2
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
9.1
6.6
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
12800
周辺 1.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
73
読み出し速度、GB/s
10.9
15.2
書き込み速度、GB/秒
6.6
9.1
メモリ帯域幅、mbps
12800
21300
Other
商品説明
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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