RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

総合得点
star star star star star
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
バグを報告する
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB 考慮すべき理由
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 44
    周辺 -26% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.5 left arrow 12.3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 12800
    周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    44 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    12.3 left arrow 15.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1977 left arrow 3183

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB RAMの比較

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
メモリRAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
メモリRAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
メモリRAM
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
メモリRAM