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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
総合得点
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
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考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
41
59
周辺 -44% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
8.9
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
2,076.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
59
41
読み出し速度、GB/s
4,723.5
8.9
書き込み速度、GB/秒
2,076.1
7.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
741
2126
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
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