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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
比較する
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
総合得点
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
総合得点
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
870.4
11.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
87
周辺 -149% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
87
35
読み出し速度、GB/s
3,155.6
16.2
書き込み速度、GB/秒
870.4
11.6
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
417
3120
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
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