RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.6
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
8.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2486
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link