RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2847
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link