RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.8
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
4382
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link