RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2907
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link