RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3442
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170GB0-CK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link