RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
35
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2699
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link