RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
34
Wokół strony 24% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2830
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link