RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3889
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link