RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2584
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link