RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
22
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
22
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3110
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Micron Technology 8JTF25664HZ-1G6M1 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link