RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Corsair VS1GB800D2 1GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Corsair VS1GB800D2 1GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair VS1GB800D2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
47
Wokół strony -57% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,361.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair VS1GB800D2 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
47
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,680.7
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,361.1
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
460
1832
Corsair VS1GB800D2 1GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU342G0ALEPR692C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link