RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3693
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link