RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
42
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3311
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Teclast TLD416G26A30 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link