RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
42
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2960
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link