RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
42
Wokół strony -62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
9.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
3068
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link